מונע גרפיט מצופה MOCVD SiC

1. אורך החיים הוארך ב-300%+

טכנולוגיית שכבת החיץ מאפשרת למספר מחזורי הלם תרמי להיות גדול מ-5,000 פעמים (פחות מ-1,500 פעמים עבור מוצרים קונבנציונליים).

טמפרטורת ההפעלה הרציפה יכולה להגיע ל-1650 מעלות צלזיוס, והציפוי אינו מראה סדקים או קילופים.

2. אחריות לאפס זיהום

The purity of SiC coating is 6N grade (total amount of metal impurities < 0.5ppm).

עבר את מבחן שחרור החלקיקים הסטנדרטי SEMI (ניקיון דרגה 10).

3. שדרוג אחידות שדה תרמי

הפרש הטמפרטורה על פני השטח של הבסיס קטן מ-±2°C (נתונים שנמדדו עבור מפרט Φ300mm).

תומך בחימום מהיר (20°C/s) ללא עיוות תרמי.

4. עמידות בפני קורוזיה מעולה

עמיד בפני קורוזיה על ידי גזים כגון H2, NH3 ו-TMAl, עם חיי שירות של מעל 18 חודשים.

קצב השינוי של חספוס פני השטח הוא פחות מ-5% (נבדק לאחר 100 מחזורי תהליך).

5. תואם לדגמים מיינסטרים ברחבי העולם

תומך בהתאמה אישית בקטרים ​​הנעים בין 50 ל-500 מ"מ.

6. אופטימיזציה של עלויות מחזור חיים מלא

מחזור התחזוקה הוארך פי שלושה מזה של מוצרים רגילים.

שיעור התפוקה של פרוסות אפיטקסיאליות גדל ב-2-3%.

חוזק החברה

לחברת Semixlab Technology Co., Ltd שני מרכזי מחקר ופיתוח, שני בסיסי ייצור, 2 קווי ייצור, למעלה מ-2 עובדים, והשקעות המחקר והפיתוח מהוות יותר מ-12%. פריסת המוצרים שלנו משמשת בעיקר בתעשיות LED, מעגלים משולבים משולבים, מוליכים למחצה דור שלישי, פוטו-וולטאיות ותעשיות אחרות. ל-Semixlab יכולות חזקות של מחקר ופיתוח, ייצור, בדיקה ואימות משולבות. במקביל, אנו משפרים ללא הרף את הטכנולוגיה והציוד שלנו עם השקעה של עשרות מיליוני דולרים בשנה.

פרמטרים מרכזיים לביצועים

פרמטרים של הפרויקט

חומר הבסיס הוא גרפיט איזוסטטי לחוץ SGL

עובי ציפוי: 80-200 מיקרומטר (ניתן להתאמה אישית)

טוהר הציפוי הוא ≥99.9999%

צפיפות: 1.85-1.90 גרם/ס"מ³

מוליכות תרמית: 125 וואט/מטר-קלווין (RT)

חוזק כיפוף ≥45 MPa

טמפרטורת הפעלה ≤1800°C (אטמוספרה אינרטית)

מערכת בקרת איכות

מעקב אחר תהליך מלא: רישום נתונים מלא, החל ממצע הגרפיט ועד לתהליך הציפוי.

גילוי מדויק: ניתוח ציפוי SEM/EDS, גילוי דליפות ספקטרומטריית מסות הליום, בדיקת הלם תרמי בטמפרטורה גבוהה.

תכונות פיזיקליות בסיסיות של ציפוי CVD SiC:

תרחישי יישום או ציוד: ציוד Aixtron Epi

תרחישי יישומים מרכזיים

● ייצור שבבי LED: גידול אפיטקסיאלי של LED כחול/לבן של GaN.

● מוליכים למחצה להספק: התקני הספק SiC/GaN (MOSFET, HEMT).

● התקני תדר רדיו 5G: מצע שבב לתדר רדיו של מיקרוגל בתדר גבוה.

● דיודת לייזר: VCSEL, תהליך אפיטקסיאלי של לייזר פולט קצה.

● אריזה מתקדמת: שקיעת שכבות דקות של מוליכים למחצה בדיוק גבוה.

סקירה כללית של שרשרת תעשיית האפיטקסיה של שבבי מוליכים למחצה: